半导体行业国家标准：GB/T 37385-2019硅中氯离子含量的测定 离子色谱法

《GB/T 37385-2019 硅中氯离子含量的测定 离子色谱法》，本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。本标准摘选内容如下：

《GB/T 37385-2019 硅中氯离子含量的测定 离子色谱法》适用范围：

本标准规定了硅中氯离子含量的离子色谱测定方法。

本标准适用于测定棒状、块状、颗粒状和片状硅中氯离子含量的测定。测定范围为1.0μg/g至硅中氯离子的最大固溶度。

硅中氯离子含量的测定依据的方法原理：

将样品放置在高温管式炉中进行加热，样品熔化后其中的氯元素以氯离子的形式释放出来，使用装有水的鼓泡吸收瓶进行吸收后，用离子色谱仪测定吸收液中的氯离子含量。

关键仪器设备举例：

离子色谱仪：配备阴离子色谱柱。

电子天平：分度值为0.1 mg。

移液管：2 mL、10 mL、20 mL。

高温管式炉：最高工作温度不低于1500℃。

干扰因素分析：

高温管式炉中样品管、样品容器的材质纯度会影响测试结果，如果纯度不够，高温下样品管、样品容器中的杂质会挥发出来。

高温管式炉中样品管、样品容器应保持洁净，使用前应进行充分煅烧，确保样品空白稳定后再进行样品的分析。

高温管式炉需设置冷却系统，保证样品管管线密封良好。

样品的煅烧过程需在氩气氛围下进行，样品冷却至室温后才能停止氩气，确保样品不被氧化。

氩气的纯度和流速会对测试结果产生一定影响。氩气的纯度不够可能导致样品被氧化，氩气流速过小样品容器中的氯离子不能被充分带走，氩气流速过大可能引起氯离子不能被充分吸收。